Intel, Samsung, Toshiba budou společně vyvíjet technologii pro 10 nm čipy

Hlavní menu

Odborná spolupráce

Dopisovatelé

Doc.Ing. Jitka Kubátová,CSc.

Ing. Jiřina Shrbená

PhDr. Jaroslava Kočárková

Ing. Květa Stejskalová, CSc.

Ing. Alexandra Kvasničková

Doporučujeme

Intel, Samsung, Toshiba budou společně vyvíjet technologii pro 10 nm čipy
Vydáno dne 01. 11. 2010 (3669 přečtení)

Intel, Samsung a Toshiba se spojili k rozvoji technologií, které mohou do roku 2016 snížit velikost čipů na téměř 10 nanometrů.

Zatímco Intel je největší světový výrobce čipů, společnost Samsung a Toshiba jsou přední výrobci pamětí typu NAND.

Firmy mají v úmyslu vytvořit konsorcium s několika dalšími firmami působících v oblasti vývoje a výroby polovodičových materiálů.

Do projektu je také zapojeno japonské Ministerstvo hospodářství, obchodu a průmyslu, které pro účely výzkumu a vývoje poskytne 61,21 milionu dolarů, což představuje polovinu celkových výdajů na V&V. Zbytek bude pocházet od členů konsorcia.

Intel v současné době pracuje na technologii 32nm NAND, avšak předpokládá, že během do dvou let se mu podaří technologii zmenšit na 22nm.

Toshiba a Samsung doufají, že nové technologie využijí k výrobě 10nm NAND flash pamětí a dalších čipů, zatímco Intel je pravděpodobně použije k vývoji rychlejších mikroprocesorů.

Tímto se připraví půda pro výrobu chipů velikosti poštovní známky o kapacitě až 400 GB.

Celá tisková zpráva |

Přečtěte si

Průvodce systémem veřejné podpory výzkumu a vývoje v ČR 2010.bmp